半導體乾式蝕刻製程

高精度模組化溫控器 - 實現乾式蝕刻製程精準控溫

蝕刻製程的目的是在晶圓表面製作特定圖樣，透過移除晶圓表面特定區域來完成，主要有「濕式」蝕刻和「乾式」蝕刻兩種方法。濕式蝕刻 (Wet Etching) 利用化學溶液，將晶圓表面的薄膜材料移除，以達成蝕刻目的；乾式蝕刻 (Reactive-Ion Etching, RIE) 主要透過電漿技術形成圖樣，利用氣體分子或其產生的離子和自由基，對晶圓材質進行物理性濺蝕轟擊與化學反應，進而移除蝕刻部分。

半導體先進製程不斷演進，製程線寬逐漸微小化，對臨界尺寸 (Critical Dimension, CD) 的誤差與一致性要求日趨嚴格。在乾式蝕刻製程中，為了實現穩定且均勻的蝕刻速率，除了精準的氣體和電漿控制以外，溫度控制更扮演著重要的變因，不僅需針對不同製程配方調整溫控 PID，更需要應對導入氣體與電漿時引發的溫度干擾，採取相對應的溫度控制。